Компания Samsung Electronics начинает производить чипы на базе 3-нанометрового технологического узла с использованием транзисторов Gate-All-Around (GAA).
Они на 45% более энергоэффективны, а также на обладают на 23% большей производительностью, чем 5-нм чипы «предыдущего» поколения.
В ближайшем будущем новые чипы планируют использовать в высокопроизводительных вычислительных приложениях, после чего их постепенно будут адаптировать и внедрять в смартфоны и другие гаджеты.
В компании ожидают, что это снизит энергопотребление смартфонов на 50% и повысит производительность на 30% — при том, что новые процессоры также будут занимать меньше места.
Уже в 2025 году главный конкурент Samsung на рынке производства чипов — тайваньская компания TSMC — планирует начать крупносерийное производство 2-нм чипов.
